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    Kauf einer DRIE/ RIE-Anlage (Plasmaätzanlage)

    Westsächsische Hochschule Zwickau

    Kauf einer DRIE/ RIE-Anlage (Plasmaätzanlage)

    1. Wettbewerbsbekanntmachung veröffentlicht

      4. juni kl. 05:004. juni 2026 kl. 05:00

    2. Fragefrist

      3. juli kl. 21:593. juli 2026 kl. 21:59

    3. Angebotsfrist

      10. juli kl. 08:0010. juli 2026 kl. 08:00

    4. Eröffnungstermin

      10. juli kl. 09:0010. juli 2026 kl. 09:00

    5. Bindefrist

      11. sep. kl. 08:0011. september 2026 kl. 08:00

    Brief

    Deutschland: Ausschreibungen/Westsächsische Hochschule Zwickau/Kauf einer DRIE/ RIE-Anlage (Plasmaätzanlage)

    Abgelaufen

    Das Vergabeverfahren ist abgelaufen, ohne dass ein Gewinner bekannt gegeben wurde.

    Brief

    Anleggsmaskiner og utstyr

    Die Westsächsische Hochschule Zwickau benötigt eine neue DRIE/RIE-Anlage (Plasmaätzanlage) inklusive Software- und Anlagensteuerung, Installation und Einweisung für die Forschung in Zwickau. Die Lieferung umfasst eine Plasmaätzanlage für reaktives Silizium-Tiefenätzen und RIE von dünnen Dielektrika-Schichten, die 100mm und 150mm Wafer verarbeiten kann, eine Substratelektrode mit elektrostatischer Klemmung und He-Rückseitenkühlung, einen Kantenschutz für Wafer sowie eine Notching-Kontrolle. Die Anlage muss für den Einbau in einem Reinraum nach ISO 14644-1, Klasse ISO 5 geeignet sein, CE-gekennzeichnet sein und darf keine zusätzlichen Medien wie Flüssighelium oder Trockeneis benötigen. Die Vertragslaufzeit beträgt 50 Wochen. Die Zuschlagskriterien sind Preis (30%), Erfüllung der Leistungsparameter (60%) und Lieferzeit (10%). Als Qualifikationsanforderung ist der Nachweis eines Applikationslabors beim Bieter erforderlich.

    Über das Angebot

      Kurze Beschreibung: Anschaffung einer neuen DRIE/ RIE-Anlage (Plasmaätzanlage) - mit Software- und Anlagensteuerung inklusive Installation und Einweisung Bestehend aus: DRIE/ RIE-Anlage, Substratelektrode, Kantenschutz der Wafer während der Ätzung, Notching-Kontrolle/ Reduktion der Strukturabweichung beim Ätzstopp auf Dielektrika, Endpunktdetektion, Software- und Anlagensteuerung, Verpackung / Transport / Abladen / Einbringen / Installation einschließlich Inbetriebnahme und Schulung Beschreibung der Beschaffung (Art und Umfang der Dienstleistung bzw. Angabe der Bedürfnisse und Anforderungen) Neue DRIE/ RIE-Anlage inkl. Zubehör für die Forschung an der WHZ mit folgenden Anforderungen: 01 1 RIE / DRIE-Anlage Plasmaätzanlage für plasmachemisches, reaktives Silizium-Tiefenätzen (?500µm) mittels des Bosch-Prozesses (gas chopping process) und RIE von dünnen Dielektrika- Schichten (?2µm). - Die Anlage muss die Verarbeitung von 100mm Wafern mit und ohne Primary-Flat, sowie mit und ohne Secondary-Flat erlauben. - Die Anlage muss die Verarbeitung von 150mm Wafern mit und ohne Primary-Flat, mit und ohne Secondary-Flat oder auch mit und ohne Notch erlauben. - Das im DRIE-Modus mögliche Siliziumabtragsvolumen pro Zeiteinheit liegt bei bis zu ca. 2,5 mm3/s, das Wärmemanagement ist entsprechend auszulegen. Die exakten zu erfüllenden Prozessparameter sind der Spezifikationstabelle im Punkt "Geforderte Prozessprameter und deren Überprüfbarkeit" zu entnehmen. - Die Anlage muss über eine separate Beschickungskammer (Vakuumschleuse, Loadlock) verfügen, die es zulässt die spezifizierten Wafer, ohne ein Belüften der Prozesskammer gegen Atmosphäre zu laden. - Der Probenchuck / Substratelektrode muss über eine He-Rückseitenkühlung für die Substrate verfügen. Es muss zudem eine Vorrichtung zur Detektion von He-Lecks in Richtung Prozesskammer beim Ätzprozess, z.B. durch Waferbruch, vorhanden sein. - Via Mass-Flow-Controller geregelte Gaslinien für folgende Prozessgase müssen vorhanden sein: o C4F8 o SF6 o O2 o CHF3 o Ar o CF4 - Um parasitäre Abscheidung, z.B. von Fluorpolymeren, zu vermeiden muss das System über einen aktiv geheizten Prozesskammer-Liner (?120 °C) verfügen. - Alle zum RIE- und DRIE-Betrieb nötigen Anlagenbestandteile müssen Lieferbestandteil der Anlage sein, hierzu zählen beispielsweise, aber nicht abschließend: o Prozesskammer o Gestell / Korpus inkl. nötige Racks und Steuerschränke o Anlagen-Steuerung inkl. Eingabegeräte und Monitore o Plasmaanregung / ICP Quelle mit automatisierter Matching-Unit oder Generatoren mit integrierter HF-Abstimmung o Druckmessung o Pumpsystem - Die Anlage muss für den Einbau in einem ISO 14644-1, Klasse ISO 5 Reinraum geeignet sein, Pumpsysteme können in einem Servicebereich untergebracht werden. - Die maximalen Abmessungen der Anlage dürfen inkl. notwendiger Serviceflächen maximal Höhe x Breite x Länge, 2,6m x 0,9m x 2,4m betragen. - Die zu liefernde Anlage muss über eine CE-Kennzeichnung des Gesamtsystems verfügen. Dies inkludiert die Einhaltung aller für das Anlagenkonzept einschlägigen Richtlinien, mindestens jedoch: - Richtlinie 2006/42/EG bzw. bei Lieferung ab dem 20.01.2027 Verordnung (EU) 2023/1230 - Low Voltage Directive - 2006/95/EC - EMC Directive - 2004/108/EC - Das System muss ausschließlich mit den genannten Prozessgasen, gasförmigem Helium, gasförmigem Stickstoff, Druckluft, Abluft, Kühlwasser und Elektroenergie betrieben werden. Zusätzliche Medien, wie z.B. Flüssighelium, Flüssigstickstoff oder Trockeneis dürfen nicht zum Betrieb nötig sein. - Die ICP-Quelle muss in einem Bereich von 120W bis 5000W oder weiter betreibbar sein, wobei bei einem weiteren Bereich der genannte Bereich inkludiert sein muss. 02 1 Substratelektrode Zur Probenhalterung wird aus Gründen der Homogenität und mechanischen Belastung der Wafer eine elektrostatische Klemmung gefordert. e-Chuck: - Die Substratelektrode muss für die Verarbeitung aller genannten Wafergeometrien (100 und 150mm) geeignet sein oder die entsprechende Anzahl an Substratelektroden für die Bearbeitung der genannten Wafergrößen müssen Lieferbestandteil sein. o Im Falle der Notwendigkeit des Tausches von Teilen zur Umrüstung zwischen den Wafergrößen sind, insofern nötig oder vorgeschrieben, alle etwaigen Verschleißteile (Dichtstoffe...) für eine 50-fache Umrüstung im Lieferumfang zu integrieren. - Falls für das Erreichen der geforderten Parameter ein Heater / Chiller nötig ist, muss dieser inkl. der eventuell nötigen Integration und Steuerung Lieferbestandteil sein. 03 1 Kantenschutz der Wafer während der Ätzung Es ist für den Schutz der Waferränder (z.B. bei der Verwendung Photoresistmasken) eine Kantenabdeckung (edge protection) vorzusehen. - Der Kantenschutz muss für die Verarbeitung aller genannten Wafergeometrien (100 und 150mm) geeignet sein oder über die Verwendung von Carriern / Adaptern oder Bauteiltausch die Verarbeitung zulassen. - Sind Zusatzteile für die Verarbeitung aller genannten Wafergeometrien nötig, müssen alle zur Umrüstung nötigen Teile Lieferbestandteil der Anlage sein. - Sind zur Umrüstung zwischen den Wafergeometrien Verschleißteile nötig oder vorgeschrieben sind diese für eine 50-fache Umrüstung im Lieferumfang zu integrieren. - Der Kantenschutz muss nach seiner Installation im Ätzbetrieb ohne Öffnen der Prozesskammer wirksam werden. - Ist der Kantenschutz ein Verschleißteil, z.B. ein Quarzglas-Ring, sind 2 Stück je benötigter Ausführung als Lieferbestandteil zu integrieren. 04 1 Notching-Kontrolle / Reduktion der Strukturabweichung beim Ätzstopp auf Dielektrika Um das sog. Notching bei der Ätzung von silicon on insulator (SOI) Strukturen und dem Stopp auf Dielektrikamembranen zu minimieren, ist die Substratelektrode mit einem gepulsten kHz Generator zu betreiben oder ein gleichwertiges Verfahren zur Vermeidung des so genannten Notchings einzusetzen.

      Kontakttelefon
      03755361131
      Kontakt-E-Mail
      Beschaffungswesen@whz.de
      Adresse
      Kornmarkt 1, 08056 Zwickau

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    Auftraggeber
    Westsächsische Hochschule Zwickau
    Titel
    Kauf einer DRIE/ RIE-Anlage (Plasmaätzanlage)
    Typ
    WettbewerbPräqualifikation
    Hauptcode
    38000000Laborgeräte, optische Geräte und Präzisionsgeräte (außer Gläser)
    Zusätzliche Codes
    31712330Halbleiter42990000Diverse Maschinen und Geräte für besondere Zwecke
    Ort
    Zwickau
    Dauer
    50 Wochen

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      Wettbewerb mit Qualifikation7. okt. 2026
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      Das Ferdinand-Braun-Institut Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik benötigt die Lieferung eines Kathodolumineszenzsystems für die Materialtechnologie in Berlin. Der Vertrag hat eine Laufzeit von 6 Monaten. Die Vergabe erfolgt nach den Kriterien Qualität (50%) und Preis (50%). Als Qualifikationsanforderungen sind mindestens 2 Referenzen aus den letzten vier Jahren über die Installation und Inbetriebnahme eines CL-Systems an einem REM-System innerhalb der EU nachzuweisen, wobei zwei Referenzen die Installation an REM-Systemen unterschiedlicher Hersteller belegen müssen. Des Weiteren ist der Nachweis einer gültigen Haftpflichtversicherung sowie eine Unternehmensdarstellung mit mindestens einem Standort innerhalb der EU zur Sicherstellung von Service und Support erforderlich.

      Wettbewerb mit Qualifikation25. sep. 2026
      26. okt. 2026(2 Tage)

    • Danmarks Tekniske Universitet - DTU

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      Danmarks Tekniske Universitet - DTU needs an ICP Reactive ion etcher for silicon dielectrics, to be delivered and installed in the DTU Nanolab cleanroom in the Copenhagen area. The instrument must support the full spectrum of etching of silicon-based dielectrics, from sub 100 nm nanostructures to depths of several tens of microns, requiring exceptional process controllability and tunability for ultra-precise, low-rate etches (< 100 nm/min) and high etch rate deep etches (approaching 500 nm/min). It must accommodate all silicon dielectrics of the form SixNy, SixOx, and SixOyNz, and be compatible with mask materials including Si, Cr, e-beam resists, and UV/DUV photoresists with high mask selectivity. The instrument must be configured for 150 mm wafer processing, with an option for a complete kit for 200 mm wafer processing. DTU will also have the option to purchase one additional identical instrument. Award criteria are Functionality and performance (50%), Quality of submitted samples (30%), and Price (20%).

      Wettbewerb8. okt. 2026
      23. nov. 2026(30 Tage)

    • Hochschule Merseburg

      Los 2: DLIP-Interferenzmodul

      Die Hochschule Merseburg benötigt ein DLIP-Interferenzmodul für die schädigungsarme Lasermikrobearbeitung, Laserpolitur und Oberflächenfunktionalisierung temperaturempfindlicher Materialien, insbesondere von Polymeren, das die flexible und reproduzierbare Erzeugung periodischer Oberflächenstrukturen mittels Zwei- und Vier-Strahlinterferenz ermöglicht. Die Lieferung erfolgt im Saalekreis. Die Vergabe erfolgt nach dem niedrigsten Angebotspreis (100 %). Es wird der Nachweis einer Haftpflichtversicherung mit einer Deckung von mindestens 1.000.000 EUR für Personenschäden, 500.000 EUR für Sachschäden und 1.000.000 EUR für Vermögensschäden gefordert.

      Wettbewerb25. sep. 2026
      27. okt. 2026(3 Tage)